IRFH5210TRPBF
Mga aplikasyon
1.Secondary Side Synchronous Rectification
2.Inverters para sa DC Motors
3.DC-DC Brick Application
4.Boost Converters
Mga tampok
1. Mababang RDSon (≤ 14.9mΩ sa Vgs = 10V)
2. Mababang Thermal Resistance sa PCB (≤ 1.2°C/W)
3.100% Rg nasubok
4. Mababang Profile (≤ 0.9 mm)
5.Industriya-Pamantayang Pinout
6. Tugma sa Umiiral na Surface Mount Techniques
7.RoHS Compliant na Naglalaman ng walang Lead, walang Bromide at walang Halogen
8.MSL1, Kwalipikasyong Pang-industriya
Benepisyo
1.Lower Conduction Losses
2. Pinapagana ang mas mahusay na thermal dissipation
3. Tumaas na pagiging maaasahan
4. Tumaas na Densidad ng Power
5.Multi-Vendor Compatibility
6. Mas Madaling Paggawa
7.Environmentally Friendlier
8. Tumaas na pagiging maaasahan
Numero ng Bahagi ng Tagagawa:IRFH9310TRPBF
Manufacturer / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Bahagi ng Paglalarawan:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Lead Free Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Kundisyon ng Stock:Bagong orihinal, 12000 pcs Available ang Stock.
Ipadala Mula sa:Hong Kong
Paraan ng Pagpapadala: DHL/Fedex/TNT/UPS
Value ng Attribute ng Produkto Piliin ang Attribute
Numero ng Bahagi IRFH9310TRPBF
Manufacturer / Brand International Rectifier (Infineon Technologies)
Dami ng Stock 12000 pcs Stock
Kategorya Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Paglalarawan MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status ng Lead Free / Status ng RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Lapad - Sa loob -55°C ~ 150°C (TJ)
Boltahe/Kasalukuyan - Output 1 PQFN (5x6)
Pagpapahintulot 5250pF @ 15V
Uri ng Buntot P-Channel
Step Angle MOSFET (Metal Oxide)
Paliitin ang Temperatura Infineon Technologies
Uri ng SFP/XFP ±20V
Malayong Kakayahang HEXFET®
Pitch - Cable Surface Mount
Iba pang mga Pangalan Lead free / RoHS Compliant
Iba pang Pangalan 1
Uri ng Oscillator 8-PowerVDFN
Bilang ng 30V ng DAC
Pinakamababang Liquid Specific Gravity -
Oryentasyon ng Pagsasama 4.6 mOhm @ 21A, 10V
Numero ng Bahagi ng Tagagawa IRFH9310TRPBFDKR-ND
Haba - Barrel Digi-Reel®
Kulay ng Lampara 4.5V, 10V
Mataas na Boltahe sa Gilid - Max (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Function 58nC @ 4.5V
Aktibo ang Coil Power
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)) 3.1W (Ta)
Uri ng Card Reader 2.4V @ 100µA
Mga Tampok at Benepisyo
Mga Tampok na Nagreresultang Mga Benepisyo
Mababang RDSon (≤ 4.6mΩ) Mas mababang Conduction Loss
Pang-industriya na PQFN Package Multi-Vendor Compatibility
RoHS Compliant na Naglalaman ng walang Lead, walang Bromide at walang Halogen na Environmentally Friendlier
resulta sa
Tandaan
Dami ng Form
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm Tape at Reel 4000
Orderable part number Uri ng Package Standard Pack
VDS -30 V
RDS(on) max
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (karaniwan) 110 nC
RG (karaniwan) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Ganap na Pinakamataas na Mga Rating
Mga Yunit ng Parameter
VDS Drain-to-Source Voltage
VGS Gate-to-Source Voltage
ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Package Limited)
IDM Pulsed Drain Current
PD @TA = 25°C Power Dissipation
PD @ TA = 70°C Power Dissipation
Linear Derating Factor W/°C
TJ Operating Junction at
Saklaw ng Temperatura ng Imbakan ng TSTG
Paulit-ulit na rating;ang lapad ng pulso ay limitado ng max.temperatura ng junction.
Simula TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Lapad ng pulso ≤ 400µs;cycle ng tungkulin ≤ 2%.
Kapag naka-mount sa 1 inch square copper board.
Ang Rθ ay sinusukat sa TJ na humigit-kumulang 90°C.
Para sa DESIGN AID LAMANG, hindi napapailalim sa pagsubok sa produksyon.
